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本发明公开了一种具有核壳结构氧化镍阴极及其制备方法，涉及电池技术领域。本发明通过热丝化学气相沉积技术(HWCVD)在镍箔表面沉积高导电性硅化镍，然后在硅化镍表面原位生成活性物质氧化镍能够保证纳米氧化镍的高导电性及高比表面积，因此相比于纳米氧化镍粉末作为活性物质，放电比容量能够提高221％；通过原位生长活性物质能够有效避免纳米氧化镍颗粒在制备电极过程极易团聚的问题，且改工艺方案更为简单，容易实现工业化量产；相较于纳米氧化镍颗粒涂覆于集流体上的传统工艺，原位生长的纳米氧化镍薄膜与集流体接触面积更大，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117497742A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202311436862.4H01G11/46(2013.01)
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