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一种电子器件(100)包括：半导体衬底(102)和半导体表面层(106)，该半导体衬底和该半导体表面层具有第一导电类型；以及掩埋层(104)；深沟槽结构(120)；以及浅沟槽隔离结构(110)，该半导体表面层在半导体衬底上方并且具有顶表面，该掩埋层具有相反的第二导电类型，处于半导体表面层与半导体衬底之间，该深沟槽结构包括：沟槽(123)，该沟槽延伸穿过半导体表面层并且延伸到掩埋层中；电介质衬里(121，122)，该电介质衬里在沟槽的侧壁上、从半导体表面层到掩埋层；以及多晶硅(124)，该多晶硅在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117497558A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202310881661.9H01L21/762(2006.01)
(22)申请日2023.07
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