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一种电子器件(100)包括：半导体衬底(102)和半导体表面层(106)，该半导体衬底和该半导体表面层具有第一导电类型，该半导体表面层在半导体衬底上方并且具有顶表面；掩埋层(104)，该掩埋层具有相反的第二导电类型，处于半导体表面层与半导体衬底之间；电介质隔离层(110)，该电介质隔离层在半导体表面层上方延伸并且延伸到半导体表面层中；深沟槽结构(120)，该深沟槽结构穿过电介质隔离层延伸到半导体表面层中；以及硅化物阻挡层(134)，该硅化物阻挡层在深沟槽结构的顶表面上。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117497559A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202310884003.5
(22)申请日2023.07.18
(30)优先权数据
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