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2024-02-03 发布于四川
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本发明涉及一种沟槽栅IGBT器件及其制造方法，所述方法包括：获取晶圆，所述晶圆包括基底，所述基底形成有从基底的第一表面向基底的第二表面延伸的沟槽，所述第一表面和所述沟槽的内表面形成有栅介质层，所述沟槽中形成有被所述沟槽内的所述栅介质层包围的栅极；在所述第一表面形成图案化的第一阻挡层；对所述栅介质层进行减薄，所述第一阻挡层作为减薄的阻挡层；对所述基底进行发射极掺杂，所述第一阻挡层作为发射极掺杂的阻挡层；去除所述第一阻挡层，然后对所述晶圆进行热处理，在所述栅极表面未被所述栅介质层覆盖的位置形成氧化层

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117497415A

(43)申请公布日2024.02.02

(21)申请号202210878284.9

(22)申请日2022.07.25

(71)申请人无锡华润上华科技有限公司

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