PECVD法制备p型微晶硅锗材料的研究的综述报告.docxVIP

PECVD法制备p型微晶硅锗材料的研究的综述报告

引言：

微晶硅锗材料因其良好的光电性能和机械强度，已经在太阳能电池、光电器件和传感器等领域得到广泛的应用。其中，p型微晶硅锗材料在太阳能电池中具有重要的作用。PECVD（plasma-enhancedchemicalvapordeposition）是一种常用的薄膜沉积技术，这种技术能够轻松地制备不同类型的硅材料。本文将综述PECVD法制备p型微晶硅锗材料的研究进展。

PECVD法制备p型微晶硅锗材料的原理：

PECVD法利用等离子体产生的激发态粒子进行材料沉积，这些粒子能够更有效地切断反应气体的键合，同时也能够激发反应气体分子中的化学键，从而促进硅材料的生长。PECVD法制备p型微晶硅锗材料的主要步骤包括：气相沉积反应、铝掺杂和温度退火处理。在气相沉积反应中，预混制备的硅源和其他反应气体通过管道输送到反应室内，且在反应室中加热并产生等离子体。等离子体沉积到衬底上，从而产生了薄膜。在铝掺杂阶段，将铝源气体与硅源气体一起进入反应室中，铝离子在等离子体中激发，并将掺杂到硅基底中，从而得到p型薄膜。最后，对p型薄膜进行高温退火处理，使之具有更好的电学性能。

PECVD法制备p型微晶硅锗材料的关键技术：

光电转换效率是太阳能电池发电量和吸收太阳能量的比值，是评价太阳能电池性能的重要指标。因此，降低p型微晶硅锗薄膜中缺陷的密度，提高其载流子的迁移率和寿命是提高太阳能电池光电转换效率的关键技术。现有研究表明，通过优化PECVD反应气体流量、功率密度和退火温度等制备条件，可以有效地降低p型微晶硅锗薄膜中缺陷的密度，并提高载流子的迁移率和寿命。此外，通过添加硫化氢等掺杂材料，可以改善材料的电学特性。

PECVD法制备p型微晶硅锗材料的研究进展：

（1）改进PECVD工艺

Lu等人[1]利用PECVD法沉积了p型微晶硅锗薄膜，并进行了研究。结果表明，通过优化气体流量、功率密度和退火温度等反应参数，可以获得缺陷密度较低并具有较高光电转换效率的p型微晶硅锗薄膜。

（2）掺杂材料的应用

Ma等人[2]在PECVD法制备p型微晶硅锗薄膜时，添加硫化氢掺杂材料，在铝掺杂和热处理过程中发现，硫掺杂能够提高载流子的浓度，并提高薄膜的导电性能，从而进一步提高薄膜的光电转换效率。

（3）复合掺杂技术

李等人[3]采用复合掺杂技术，在PECVD法制备p型微晶硅锗薄膜过程中，同时添加氢气和硫氢离子掺杂材料，并通过热处理来提高硫化氢和氢气对材料电学性能的影响。实验结果表明，复合掺杂能够有效地提高载流子浓度和迁移率，并显着改善硅薄膜的光电转换效率。

结论：

本文综述了PECVD法制备p型微晶硅锗材料的原理、关键技术和研究进展。总体来说，通过优化制备条件和掺杂材料的应用，可以有效地提高p型微晶硅锗材料的光电转换效率。未来，应该继续探索新型的掺杂材料和制备方法，以满足太阳能电池等领域对p型微晶硅锗材料高性能的需求。

参考文献：

[1]LuY,WangF,ChenH,etal.OptimizationofPECVDp-typemicrocrystallineSiGefilmsgrownfromSiH4andGeH4precursorstowardshigh-efficiencySiGesolarcells[J].SolarEnergyMaterialsandSolarCells,2018,185:406-411.

[2]MaX,LiuX,HuangS,etal.TheinfluenceofsulfurizationontheelectricalpropertiesofPECVD-grownp-typeSiGethinfilms[J].JournalofAlloysandCompounds,2020,817:153306.

[3]LiJ,ShenH,ZhangX,etal.ImprovementofMicrocrystallineSiGeSolarCellPerformancebyCombinationofSulfurandHydrogenDopantsinPECVDDeposition[J].TheJournalofPhysicalChemistryC,2020,124(13):7227-7235.