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一种基于PVD法制备高纯镉的方法及应用.pdfVIP

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  • 2024-02-03 发布于四川
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一种基于PVD法制备高纯镉的方法及应用.pdf

    本发明公开了一种基于PVD法制备高纯镉的方法及应用，所述方法利用高压静电场和电磁场加速与汇聚的高能量电子流作为热源，同时在预熔的过程中，通入氢气，可以有效地去除比较难以去除的C，N，O非金属杂质元素；两次预熔除去非金属杂质元素后，通过溅射分离其他杂质并在顶部收集得到高纯镉，克服了现有技术操作复杂，产品纯度与产量不可兼得的缺陷。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117488094A

    (43)申请公布日2024.02.02

    (21)申请号202311401030.9

    (22)申请日2023.10.25

    (71)申请人武汉拓材科技有限

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