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一种超晶格和三维GaN复合外延结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-02-03 发布于四川
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一种超晶格和三维GaN复合外延结构及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种超晶格和三维GaN复合外延结构及其制备方法。所述外延结构包括自下而上顺次层叠的Si衬底、AlN成核层、AlGaN/AlGaN超晶格应力调控层、三维GaN生长缓冲层和GaN缓冲层。本发明采用AlGaN/AlGaN超晶格应力调控层可以有效缓解GaN与AlN成核层之间的晶格失配，使得位错湮灭，三维GaN缓冲层可以有效提升GaN生长初期三维岛状密度和尺寸，提高GaN薄膜的晶体质量。本发明制备方法简单，超晶格结构降低了外延整体厚度，提高了外延片耐压和减小了漏电，非常适合于射频器件等应用。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117497570A

    (43)申请公布日2024.02.02

    (21)申请号202311401163.6H01L21/02(2006.01)

    (22)申请日2023.10.

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