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源极跟随管及CMOS传感器的形成方法.pdfVIP

源极跟随管及CMOS传感器的形成方法.pdf

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    本发明提供了一种源极跟随管及CMOS传感器的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成有源区和与所述有源区相邻的浅沟槽隔离结构；在所述有源区内形成埋沟通道，所述埋沟通道的两侧与所述浅沟槽隔离结构接触；在所述有源区上形成栅氧化硅；部分刻蚀所述栅氧化硅的中部位置以形成中间薄两边厚的图案化的栅氧化硅；在所述栅氧化硅和所述浅槽隔离结构上形成栅极结构。通过刻蚀形成两边厚中间薄的图案化的栅氧化硅，使得埋沟通道中的大部分的载流子从图案化的栅氧化硅的中间部分传输，从而远离浅沟槽隔离结构的界面，改善浅沟槽隔离结构

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111524923A

    (43)申请公布日

    2020.08.11

    (21)申请号20201

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