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本实用新型公开了一种高侧驱动电路，属于集成电路技术领域。包括半桥栅极驱动芯片、利用芯片内部低侧驱动电路和外围器件组成的振荡器、充电模块、功率开关模块和二极管；电路中，当半桥栅极驱动芯片高侧输入信号为逻辑“1”时，振荡器电路正常工作输出周期性脉冲信号，通过充电模块对VB和VS两端之间的电容进行周期性充电，从而保持VB和VS两端之间的电压差接近VCC对地电压，使得开关功率管的栅极和源极保持足够的电压差，实现开关功率管的满占空比导通，很好的实现了开关功率管的满占空比导通，且对当前市场上半桥栅极驱动芯片
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220440691U
(45)授权公告日2024.02.02
(21)申请号202321869534.9
(22)申请日2023.07.17
(73)专利权人国硅集成电路技术（无锡）有限公
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