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片上光互连结构及其制作方法.pdfVIP

片上光互连结构及其制作方法.pdf

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    本发明提供了一种片上光互连结构及其制作方法，旨在通过在具有多个第一光子集成电路芯片的所述半导体晶片上设置有覆盖在相邻两个第一光子集成电路芯片的部分所述第一表面的第二光子集成电路芯片，利用第二光子集成电路芯片的多个第二光波导，将相邻的两个所述第一光子集成电路芯片之间进行光互连，从而实现晶圆级无间断的片上光互连，以提高片上光网络的性能和应用价值。突破了单颗第一光子集成电路芯片尺寸的上限，并且可以根据需要选择在同一光通信中的第一光子集成电路芯片的数量，设计灵活。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117492142A

    (43)申请公布日2024.02.02

    (21)申请号202210878889.8

    (22)申请日2022.07.25

    (71)申请人上海曦智科技有限公司

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