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本发明公开一种集成电路裸片形成方法以及集成电路裸片结构，其中该集成电路裸片形成方法，用以在一半导体晶片上形成多个集成电路裸片，包含：在一第一区形成一第一裸片，包含：在第一区形成一第一装置、一第二装置；形成连接第一装置以及第二装置的一金属层；在一第二区形成一第二裸片，包含：在第二区形成一第三装置、一第四装置；形成连接第三装置以及第四装置的金属层，其中第一区以及第二区间具有一切割区；其中第一装置以及第三装置用以同步且为一D类型放大器的元件；其中第二装置用以防止第一裸片的漏电流，而第四装置用以防止该第
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117497484A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202210882334.0
(22)申请日2022.07.26
(71)申请人晶豪科技股份有限公司
地址中国
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