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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

半导体器件及其形成方法.pdf

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    本发明一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：基底，所述基底上具有金属层；介质层，位于所述基底上且覆盖所述金属层；接触孔，位于所述介质层内且底部暴露出金属层的表面；导电层，填充在所述接触孔内；薄膜电阻器层，位于部分所述介质层上且底部与所述导电层的顶部接触；将所述薄膜电阻器层直接连接在所述金属层上，不需要额外地在所述介质层上另外作所述薄膜电阻器的连接层，一方面简化了工艺流程，另外一方面，保证了形成的薄膜电阻器的主体部分的质量，为形成质量好的半导体器件做铺垫。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117497513A

    (43)申请公布日2024.02.02

    (21)申请号202210868035.1

    (22)申请日2022.07.22

    (71)申请人中芯国际集成电路

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