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光电导探测器汇报人：AA2024-01-26光电导探测器基本原理光电导探测器性能参数光电导探测器材料与技术光电导探测器应用领域光电导探测器性能优化方法光电导探测器发展趋势与挑战CATALOGUE目录01光电导探测器基本原理光电效应与光电导现象光电效应当光照射到物质上时，会引起物质电学性质的改变，即光电效应。光电效应分为外光电效应和内光电效应，其中内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。光电导现象在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，从而引起材料电阻率的变化，这种现象称为光电导现象。光电导探测器工作原理光照变化引起电阻变化当光照射到光电导探测器上时，光子将能量传递给探测器材料中的电子，使电子从价带跃迁到导带，产生光生载流子。这些光生载流子改变了探测器的电阻率，从而实现了光信号到电信号的转换。偏置电压与电流变化在光电导探测器中，通常需要施加一定的偏置电压。当光照强度发生变化时，探测器的电阻率随之改变，从而引起电流的变化。通过测量这个电流变化，可以得知光照强度的信息。光电导探测器结构类型薄膜型01薄膜型光电导探测器采用薄膜材料作为光敏元件，具有体积小、重量轻、响应速度快等优点。常见的薄膜材料包括硫化铅、硒化铅等。体型02体型光电导探测器采用块状半导体材料作为光敏元件，具有较大的光敏面积和较高的灵敏度。常见的体型光电导探测器材料包括硅、锗等。结型03结型光电导探测器利用