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一维纳米晶(PbWO4,ZnO,CuO)的合成及性质研究的综述报告

一、引言

纳米晶由于独特的物理、化学和电子学特性，在材料科学中具有重要的应用价值。特别是在光电子、传感器、固态激光器等领域的研究中近年来发挥了越来越大的作用。本文将以PbWO4、ZnO、CuO三类一维纳米晶为例，综述其合成及性质研究的最新进展。

二、PbWO4纳米晶的合成及性质研究

PbWO4作为一种重要的功能材料，具有广泛应用的潜力，包括发光材料、辐射探测材料、电子束电视荧光屏材料等。纳米化处理是提高其性能和应用的有效方法之一。常见的纳米化处理方法包括溶胶-凝胶法、水热法、化学气相沉积法等。

Lu等人在2014年通过溶胶-凝胶法制备了PbWO4纳米线，研究了不同溶剂对纳米线形貌和尺寸的影响，得到了直径在20-100nm范围内的纳米线，并发现丙酮对纳米线尺寸的控制更加稳定。此外，研究结果表明，溶胶-凝胶法制备的纳米线具有高度的结晶性和单晶性，表面存在着少量的PbO。

李等人在2017年，通过水热法制备了PbWO4纳米线，研究了反应物浓度和反应时间对纳米线形貌和尺寸的影响。结果表明，浓度和时间的增加可以促进纳米线的生长，且生长速率随着反应时间的延长而减缓。此外，PbWO4纳米线的光学性质研究发现，其带隙为2.61eV，透过率高达80%以上。

三、ZnO纳米晶的合成及性质研究

ZnO作为一种广泛使用的半导体材料，具有独特的发光和传感特性。纳米化处理可以提高其发光强度和传感灵敏度。常用的合成方法包括水热法、溶液法、氢燃烧法等。

Surya等人在2015年，通过氢燃烧法制备了ZnO纳米线，研究了温度和时间对纳米线形貌和尺寸的影响。结果表明，ZnO纳米线的尺寸随着温度的升高而增大，但是生长时间对其尺寸的影响并不显著。此外，研究结果表明，ZnO纳米线的光学性质随着直径的减小而改变，其带隙也随之增大。

Frank等人在2018年，通过溶液法制备了ZnO纳米线，研究了不同溶剂和表面活性剂对纳米线形貌和尺寸的影响。结果表明，添加高浓度的表面活性剂可以生成直径较小的ZnO纳米线，而不同的溶剂对其形貌的影响并不显著。此外，研究结果表明，ZnO纳米线的导电性能可通过样品热处理和氧热处理进行调控。

四、CuO纳米晶的合成及性质研究

CuO作为一种重要的半导体材料，具有独特的光催化和生物传感器应用潜力。纳米化处理可以提高其表面活性和电子传输性能。常见的合成方法包括水热法、溶液法和化学气相沉积法。

Mishra等人在2017年，通过水热法合成了CuO纳米线，并研究了不同反应条件对纳米线形态和尺寸的影响。结果表明，先前誉为模板剂的PVP通过不同的反应温度和反应时间来控制CuO纳米线的形态和尺寸，且随着反应时间的延长和温度的升高，纳米线的直径和长度都逐渐增大。

Zhang等人在2016年，通过化学气相沉积法合成了CuO纳米线，并研究了不同溶液对纳米线形貌和尺寸的影响。结果表明，溶液中的CuCl2浓度对纳米线形貌和尺寸有显著影响，而其他溶液对其影响较小。此外，研究结果表明，CuO纳米线的光学性质和导电性能随着形态和尺寸的变化而变化。

五、结论

综合以上分析结果，合适的纳米化处理方法可有效提高材料的性能和应用。PbWO4、ZnO、CuO三类一维纳米晶的制备过程中，常见的合成方法包括溶胶-凝胶法、水热法、氢燃烧法、溶液法和化学气相沉积法。不同的方法适用于不同的材料制备，所得的纳米晶在光学、电子、传感等领域具有很好的应用前景。