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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括用于形成第一型器件的第一区域；基底包括用于形成目标图形的目标层，第一区域的目标层包括多个第一预设区域和位于第一预设区域之间的第二预设区域；在基底上形成分立的核心层，且在第一区域中，位于第一预设区域的核心层的线宽，和位于第二预设区域的核心层的线宽相同；在核心层的侧壁上形成第一侧墙；去除核心层；在第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙，位于第一预设区域的相邻第一侧墙相对侧壁上的第二侧墙用于作为牺牲侧墙；去除第一侧墙；去除牺牲侧墙，剩余的第二侧墙用于作为掩膜侧墙；以
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524985A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202210900981.X
(22)申请日2022.07.28
(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限
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