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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：包括：提供衬底，所述衬底包括沿隔离区、第一器件区和第二器件区；在所述衬底上形成若干沿所述第二方向排布的第一鳍部，所述第一鳍部内具有隔离开口，所述隔离开口位于所述第一区上；在所述衬底上形成介质层以及若干前驱结构，所述前驱结构沿所述第二方向横跨所述第一鳍部，所述介质层覆盖所述前驱结构的侧壁；对位于所述第一区上且与所述隔离开口相邻的所述前驱结构进行氧化处理，形成第一隔离结构。所述第一隔离结构直接是通过对前驱结构进行氧化形成，不需要进行栅极结构的去除过程，因此有

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117525068A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202210901198.5

    (22)申请日2022.07.28

    (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限

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