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本发明公开了一种二维快离子导体FePS3光电阴极的制备方法及其应用，包括以下步骤：1)在硅片表面形成PN型硅纳米阵列；2)对步骤1)所得硅片进行预处理，再在硅片表面预定区域内均匀涂抹导电银漆，然后进行干燥，再将催化剂FePS3溶液旋涂于涂覆有导电银漆的硅片上，再进行干燥，得到二维快离子导体FePS3光电阴极，该方法及其应用制备得到的光电阴极具有高活性及高法拉效率，能够应用于光电催化合成氨体系中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117512643A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311667455.4
(22)申请日2023.12.06
(71)申请人西安
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