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本发明涉及发光二极管和显示技术领域，公开了一种利用预沉积层优化准二维蓝光LED器件的方法，包括以下步骤：将ITO基底，分别用去离子水、乙醇以及丙酮反复清洗，接着采用紫外臭氧机清洗；将PEDOT:PSS溶液以旋转涂布的方式沉积到步骤1所得的基底表面，本发明通过采用硫氰酸铵或硫氰酸胍作为预沉积材料，制备位于空穴传输层及发光层之间的预沉积层，利用预沉积层中预沉积材料的扩散作用，对准二维钙钛矿薄膜的相分布和导电性进行了有效的提升；同时由于预沉积层对于准二维薄膜的相分布的调整，从而使得能量传递效率更高，器
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117529130A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311560294.9
(22)申请日2023.11.22
(71)申请人吉林大学
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