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2024-02-07 发布于四川
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一种半导体器件的组合结构.pdf

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本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体器件的组合结构，包括工艺检测区域和器件设置区域；器件设置区域包括半导体器件，半导体器件包括电极焊盘；工艺检测区域包括由下至上层叠的虚设焊盘和第一介质层，虚设焊盘的排布位置与电极焊盘的排布位置相同，第一介质层设有贯穿厚度的第一通孔，第一通孔的位置对应有虚设焊盘。本申请工艺检测区域设有虚设焊盘和第一介质层，第一介质层上设置有第一通孔，虚设焊盘的排布位置与半导体器件上电极焊盘的排布位置相同。当进行晶圆测试时，可以通过第一通孔扎在虚设焊盘上，避免出现粘针和带出脏屑的

(19)国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号CN220456419U

(45)授权公告日2024.02.06

(21)申请号202321925230.X

(22)申请日2023.07.20

(73)专利权人深圳市时代速信科技有限公司

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