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本公开提供了一种半导体器件及其形成方法，涉及半导体技术领域。该器件包括衬底和字线结构，字线结构包括第一导电层和第二导电层，第一导电层沿第一方向延伸，且第一导电层包括沿第二方向依次相邻分布的靠近源极区设置的第一预设区、第二预设区以及靠近漏极区设置第三预设区，第三预设区内设有沿第一方向延伸且由字线结构的导电层的顶面向底面凹陷的第一凹部，第二方向与第一方向垂直，第二导电层设于第一凹部内，且第二导电层的顶面至少与第一导电层的第二预设区的顶面齐平；第二导电层的电阻值大于第一导电层的电阻值。在实现低字线结构
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117529100A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311840961.9
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人长鑫集电（北京）存储技术有限公司
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