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一种GaN基半导体激光器芯片.pdfVIP

一种GaN基半导体激光器芯片.pdf

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    本发明提出了一种GaN基半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述上波导层和下波导层具有不同的折射率分布。本发明通过将上波导层和下波导层设置不同的折射率分布，能够有效抑制半导体激光器内部光学损耗，并提升限制因子，进而提升激光器的模式增益，减少下限制层厚度或Al组分增加导致的开裂、质量下降问题，并抑制光场耗散，降低光场模式泄漏到衬底的几率，提升远场质量和光束质量因子。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117526089A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202311461349.0

    (22)申请日2023.11.06

    (71)申请人安徽格恩半导体有限公司

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