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本发明公开了一种片上存储纠错系统，包括：处理器核，其内包括ITCM存储器和DTCM存储器，ITCM存储器内包括第一SRAM存储器和第一ECC模块，DTCM存储器内包括第二SRAM存储器和第二ECC模块；FLASH存储器，通过系统总线与处理器核相耦合，FLASH存储器内存储有指令信息和数据信息；第一ECC模块用于对指令信息进行校验产生第一校验信息并写入第一SRAM存储器，还用于在指令信息和第一校验信息被读取时，对指令信息进行校验判断指令信息是否发生错误翻转；第二ECC模块用于对数据信息进行校验产生
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524290A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311682498.X
(22)申请日2023.12.08
(71)申请人西安电子科技大学芜湖研究院
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