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- 2024-02-07 发布于四川
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提供了一种半导体器件及半导体器件制造方法。所述半导体器件包括：漏电极；设置在漏电极上的第一导电衬底；设置在第一导电衬底上的第一导电外延层；形成在第一导电外延层内的第一导电漂移层；形成在第一导电外延层中的沟槽；形成在每个沟槽的下部的屏蔽电极；形成在每个沟槽内并且形成为围绕屏蔽电极的屏蔽氧化物层；形成在每个沟槽内并且形成在屏蔽电极上的栅电极；形成在包括多个沟槽之间的第一导电外延层的表面的上部上的第二导电体区；形成在第二导电体区上的源极区；形成在栅电极上的绝缘层；形成为与源极区接触的源极接触层；以及形
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525132A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202310693664.XH01L29/08(2006.01)
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