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本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。太阳电池包括：N型衬底；在N型衬底受光面的N型扩散层；在N型扩散层上的图形化第一钝化接触结构，包括厚度小于等于2nm的第一介质层和N型掺杂多晶硅层；在N型衬底背光面的第二钝化接触结构，包括厚度大于2nm的第二介质层和P型重掺杂多晶硅层，背光面形成PN结，第二介质层具有贯通通孔，P型重掺杂多晶硅层的掺杂浓度为5×1018~3×1020atom/cm3；在N型扩散层和第一钝化接触结构上依次为第一功能层和第一电极，第一电极与
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525180A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202410017495.2
(22)申请日2024.01.05
(71)申请人通威太阳能（眉山
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