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具有内连线结构的半导体元件及其制备方法.pdfVIP

具有内连线结构的半导体元件及其制备方法.pdf

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    本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一第一介电层、一第一内连线结构、一第二内连线结构及一第二介电层。该第一介电层设置于该基底上方。该第一内连线结构设置于该第一介电层上方。该第二内连线结构设置于该第一介电层上方。该第二介电层经设置于该第一内连线结构上方，其中该第二介电层的一侧向表面曝露于一气隙。该第一内连线结构借由该气隙与该第二内连线结构间隔开。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117524974A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202311541030.9H10B12/00(2023.01)

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