后段工艺中TaN/Ta阻挡层的形成方法.pdfVIP

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2024-02-07 发布于四川
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后段工艺中TaN/Ta阻挡层的形成方法.pdf

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本发明提供一种后段工艺中TaN/Ta阻挡层的形成方法，方法包括：步骤1)提供一晶圆，且晶圆包括形成有互连孔槽的互连层；步骤2)在低的交流偏压的条件下，于互连孔槽的底部及侧壁沉积形成氮化钽层；步骤3)于氮化钽层的表面沉积钽层，且在沉积钽层的同时，在交流偏压及射频线圈的作用下对形成于互连孔槽底部的钽层及氮化钽层进行刻蚀，使二者溅射至互连孔槽的侧壁，且溅射起来的钽在直流线圈的作用下改变方向沉积于互连孔槽以外区域的晶圆表面，最终使得形成于互连孔槽底部的所述氮化钽得到减薄，且于其表面形成所需厚度的所述钽层

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117524978A

(43)申请公布日2024.02.06

(21)申请号202311394514.5

(22)申请日2023.10.25

(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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