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2024-02-07 发布于四川
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本发明提供一种表面的TSD密度非常小的SiC基板。该基板为具备双轴取向SiC层的SiC基板，在用光致发光(PL)对双轴取向SiC层的表面进行分析、得到以[11‑20]方向的距离(μm)为横轴且以PL强度I为纵轴绘制的坐标图的情况下，(i)上述坐标图具有重复极大点和极小点的形状，其中，极大点被定义为给出比由在其左右的第一近的点、第二近的点和第三近的点组成的合计6个点的各个PL强度I都更高的PL强度I的点，且极小点被定义为给出比由在其左右的第一近的点、第二近的点和第三近的点组成的合计6个点的各个PL

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117529584A

(43)申请公布日2024.02.06

(21)申请号202280043244.0(74)专利代理机构北京汇思诚业知识产权代理

(22)申请日2022.10.

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