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一种超低剩磁温度系数的钐钴磁体制备系统及试样方法.pdfVIP

一种超低剩磁温度系数的钐钴磁体制备系统及试样方法.pdf

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    本发明公开了一种超低剩磁温度系数的钐钴磁体制备系统及试样方法，包括隔离架，所述隔离架的内部靠近上端处设置有碎料筒，所述碎料筒的底端表面固定安装有底撑架，所述底撑架的底端表面固定安装送料架，所述隔离架的一端表面靠近中部处固定安装有处理箱。本发明所述的一种超低剩磁温度系数的钐钴磁体制备系统及试样方法，此制备系统中所包括的装置可设置在真空环境中进行制备流程，不需要人工干预处理，装置运行稳定，生成成品稳定性高，退磁率低，且利用处理箱组件结构，可对钐钴磁体进行高密度和均匀性的压制。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN115036122A

    (43)申请公布日2022.09.09

    (21)申请号202210455774.8

    (22)申请日2022.04.27

    (71)申请人杭州永磁集团有限公

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