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本发明公开一种LED芯片结构，包括依次堆叠之第一型半导体层、发光层和第二型半导体层，该第二型半导体层中具有暴露区，该暴露区暴露出部份第一型半导体层；该暴露区之第一型半导体层上具有第一电极延伸层；该第二型半导体层上具有第二电极延伸层；该第二型半导体层上连接一透明绝缘层，且该透明绝缘层填入该暴露区；透明绝缘层的端面上具有第一型电极和第二型电极；第一型电极和第二型电极分别通过第一电极连接层和第二电极连接层经该透明绝缘层上设置的第一通孔和第二通孔连接该第一电极延伸层和该第二电极延伸层；本发明优化了电极的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN105762252A
(43)申请公布日2016.07.13
(21)申请号201410774774.X
(22)申请日2014.12.16
(71)申请人晶宇光电(厦门)有限公司
地址3
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