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一种AlGaN/SiC双色紫外探测器.pdfVIP

一种AlGaN/SiC双色紫外探测器.pdf

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    本发明公开了一种AlGaN/SiC双色紫外探测器，包括N型SiC衬底层、N型重掺杂SiC欧姆层、非故意掺杂SiC吸收层、P型SiC欧姆接触层、非故意掺杂AlGaN吸收层、欧姆接触背电极、半透明肖特基电极、第一接触电极、第二接触电极和透明介质钝化层。本发明结合了AlGaN和SiC两种材料体系的优点，基于SiC材料的低的晶格缺陷、高的可见光盲紫外响应度以及与AlGaN材料间较小的晶格失配和热失配，采用AlGaN层作为日盲探测的吸收层和可见光盲探测的滤波层的设计，实现一种器件两种波段的探测，大大提高了

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN109935655A

    (43)申请公布日

    2019.06.25

    (21)申请号20191

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