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本发明涉及铪基复合栅介质制备技术领域，具体公开了一种在4H‑SiC上制备高K低泄漏电流的铪基复合栅介质的方法，包括以下步骤，S1、20nmHfO2/20nmSiO2铪基复合栅薄膜的制备；S2、20nmHfO2/20nmSiO2铪基复合栅MOS电容器的制备；S3、20nmHfO2/20nmSiO2铪基复合栅平面MOSFET的制备，本发明通过制备更薄的氧化铪/氧化硅复合栅介质来填补SiC热氧法无法达到的超薄栅工艺，且可以显著降低MOSFE功率器件的开启电压、提高输出和转移能力等关键器件特性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117524862A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311752210.1H01L29/94(2006.01)
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