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三维（3D）双栅极半导体.pdfVIP

三维（3D）双栅极半导体.pdf

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    本发明公开了包括双栅极金属氧化物半导体(MOS)晶体管的半导体设备及其制造方法。该双栅极MOS晶体管包括第一背栅极、第二背栅极以及设置在该第一背栅极上和该第二背栅极上的第一电介质层。MX2材料层设置在该第一电介质层上，第二电介质层设置在该MX2材料层上，并且功函数金属(WFM)设置在该第二电介质层上。前栅极设置在该WFM上，该前栅极填充该第一背栅极与该第二背栅极之间的空间。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117529817A

    (43)申请公布日2024.02.06

    (21)申请号202280043065.7(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

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