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本申请实施例提供一种半导体器件、系统集成组件及显示面板，该半导体器件包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一有源层包括第一掺杂层、设置在第一掺杂层上的沟道层以及设置在沟道层上的第二掺杂层。该第一薄膜晶体管的源/漏金属层通过过孔与第一掺杂层以及第二掺杂层电性连接，且该第一薄膜晶体管对应的载流子的迁移率大于第二薄膜晶体管对应的载流子的迁移率。通过设置两种不同结构及迁移率的薄膜晶体管，且该第一薄膜晶体管的有源层采用垂直沟道的结构，进而有效的提高该半导体器件的性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525076A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202310524508.0
(22)申请日2023.05.08
(71)申请人武汉华星光电技术有限公司
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