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本发明公开了一种多孔氮化硅/碳化硅复合材料及其制备方法,本发明所述多孔氮化硅/碳化硅复合材料具有氮化硅晶须骨架,表层和孔隙填充碳化硅纳米线;所述碳化硅纳米线是原位合成,原位合成利用了高温挥发的碳、热解残留的碳和氮化硅的分解;氮化硅晶须是由氮化硅经高温烧结,原位发生相变和晶粒生长而成。本发明利用烧结过程中氮化硅不可避免的分解产物和环境杂质,制备具有氮化硅晶须骨架、表层和孔隙填充碳化硅纳米线的结构的多孔氮化硅/碳化硅复合材料,制备的材料具有可调的孔结构和表面形貌,有利于细胞粘附与增殖,在骨修复领域具
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117510227A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311249275.4(51)Int.Cl.
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