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本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种提高粉料利用率的碳化硅单晶生长装置及方法，该装置包括坩埚、生长组件、第二保温层及感应加热线圈，坩埚包括坩埚盖和坩埚体，生长组件设置在坩埚体内，包括石墨支撑，石墨支撑的底端固定在坩埚体底部，顶端上设有石墨板，石墨板上设有第一保温层，第一保温层上设有籽晶托和石墨导流筒，坩埚盖底部设置有第一籽晶，籽晶托内设置有第二籽晶，在坩埚外部设置有第二保温层，第二保温层的外侧设有上下两组感应加热线圈。本发明利用调控后的粉料表面径向温差，驱使碳化硅气相流动至粉料中心处实现
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117512772A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311539126.1
(22)申请日2023.11.17
(71)申请人西北电子装备技术
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