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本发明公开了一种基于ITO欧姆接触的整流芯片及其制备方法；包括从下至上依次层叠设置的衬底、GaN层、AlGaN层、欧姆阴极结构/钝化层/肖特基阳极结构；所述欧姆阴极结构和肖特基阳极结构分别位于AlGaN层上表面两端；所述欧姆阴极结构为在AlGaN上表面依次沉积的ITO层和第一金属，该ITO层和第一金属之间进行电气连接，两者之间保持相同电位；所述肖特基阳极结构为在AlGaN上表面沉积的第二金属；所述钝化层沉积在AlGaN层上表面，并位于欧姆阴极结构和肖特基阳极结构之间。本发明采用ITO中间层结构能
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117525121A
(43)申请公布日2024.02.06
(21)申请号202311306865.6
(22)申请日2023.10.10
(71)申请人华南理工大学
地址510640
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