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2024-02-10 发布于四川
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半导体结构制备方法及半导体结构.pdf

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本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，包括：提供衬底，于衬底上形成初始叠层结构，初始叠层结构包括沿第一方向依次交替叠置的第一介质层、目标半导体层，第一介质层与衬底相邻；于初始叠层结构内形成沿第二方向间隔排布且沿第三方向延伸的第一沟槽隔离结构、第二沟槽隔离结构及第三沟槽隔离结构；形成底面接触衬底上表面的两个间隔的栅极沟槽，目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空；于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加字线结构所占空

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117545272A

(43)申请公布日2024.02.09

(21)申请号202210918006.1

(22)申请日2022.08.01

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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