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2024-02-10 发布于四川
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本申请提供一种TFET器件及其形成方法，所述TFET器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面包括相互垂直的x方向和y方向；位于所述半导体衬底中的若干沿x方向延伸的第一沟槽和若干沿y方向延伸的第二沟槽；位于所述第一沟槽和所述第二沟槽中的隔离结构，其中，部分所述第二沟槽中的隔离结构的顶面低于所述半导体衬底的表面；位于所述半导体衬底表面以及所述部分第二沟槽中的栅极层。本申请提供一种TFET器件及其形成方法，栅极层覆盖半导体衬底表面并延伸至半导体衬底中，可以增大TFET器件的隧穿面积和开态电流。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117542884A

(43)申请公布日2024.02.09

(21)申请号202311562174.2

(22)申请日2023.11.22

(71)申请人北方集成电路技术创新中心（北京）

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