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本发明涉及碳化硅加工技术领域，具体公开一种去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法。本发明提供的去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法，创造性地构建了金属离子含量与清洗液中有效组分比例的计算公式，通过该计算公式可以动态监测清洗液的清洗能力，从而及时对清洗液中有效组分比例进行调整，有利于达到更好的清洗效果，提高清洗效率，延长清洗液的使用寿命，避免不合格碳化硅衬底返工清洗以及清洗液未达到使用寿命，提前更换造成清洗液浪费问题的出现，对于降低碳化硅衬底的生产成本，提高生产效率具有十分重要的意义，推广应
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542728A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202410027040.9
(22)申请日2024.01.09
(71)申请人河北同光半导体股份有限公司
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