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2024-02-10 发布于四川
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载流子存储型IGBT器件及其制作方法.pdf

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本发明提供一种载流子存储型IGBT器件及其制作方法，包括：衬底、IGBT器件的正面结构和背面结构，IGBT器件包括元胞区和终端区，背面结构包括于元胞区内自漂移区向衬底的第二主面依次设置的第一导电类型场截止区和第二导电类型集电区，其中漂移区包括依次贯穿场截止区和集电区而显露于衬底第二主面的条形区段，用于分隔相邻器件元胞的场截止区和集电区。本发明通过设置自漂移区延伸至衬底第二主面的条形区段，用于分隔相邻器件元胞的场截止区和集电区，使得器件反向耐压时，漂移区电场会朝集电极方向进一步扩展，能够实现更高掺

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117542877A

(43)申请公布日2024.02.09

(21)申请号202410033732.4

(22)申请日2024.01.10

(71)申请人上海林众电子科技有限公司

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