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集成的熔丝器件.pdfVIP

集成的熔丝器件.pdf

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    熔丝器件由与集成电路的其他部分电绝缘的PN结半导体区域形成。熔丝器件包括具有P型导电性的第一半导体区以及具有N型导电性的第二半导体区，第一半导体区与第二半导体区在PN结处相接触。第一和第二导电接触区分别被提供在第一和第二半导体区上，而在不与PN结相接触。第一和第二半导体区中的一个半导体区被配置为具有非均质浓度的掺杂剂，其中具有较低掺杂剂浓度值的区域位于PN结处，并且具有较高掺杂剂浓度值的区域位于对应的导电接触区处。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN108538827A

    (43)申请公布日

    2018.09.14

    (21)申请号20171

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