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一种具有掩埋栅极结构的FET。该FET的栅极电极包括多个掩埋栅极结构，该结构的顶部在基板的顶表面上方延伸，并且该结构的底部被掩埋到至少等于沟道层的底部的深度或针对HEMT的沟道层内的2DEG平面的深度，使得掩埋栅极结构仅从沟道层侧接触沟道层。在基板顶表面上方且不与基板顶表面接触的头部，接触掩埋栅极结构的顶部并互连所有掩埋栅极结构。漏极电流通过掩埋栅极结构对沟道层进行横向选通来通过沟道宽度调制来控制。FET可以包括至少一个场板，该场板包括狭缝结构，在狭缝结构中，场板被分成多个段。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110998859A
(43)申请公布日
2020.04.10
(21)申请号20188
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