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本发明提供一种双模阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极‑阻变层‑自选择层‑顶电极结构。本发明还提供一种双模阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积自选择层，并施加退火处理工序；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和自选择层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在自选择层上制备顶电极。本发明基于采用传统CMOS工艺来实现具有自选择
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110783453A
(43)申请公布日
2020.02.11
(21)申请号20191
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