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一种高压碳化硅器件及制备方法，涉及半导体技术领域。本发明中沟槽刻蚀区可以和对准标记图形同一层光刻板制作，不增加工艺复杂度和制造成本。芯片边缘刻蚀沟槽使得P区注入结深增加，在器件反向加压测试时时，使得背面电极的等势面不再划片道表面，由于刻蚀形成的深PN结在反向耗尽时，其电场梯度几乎全部转移到耗尽区内，划片道表面电势将被极大限度的拉低，两者之间的电势差根本不足以激发空气电离，从未避免上述打火现象的发生。并且，刻蚀后形成的PN结深更深，电场梯度转移到更深的外延层内，终端至划片道可以设计的更小，从而提高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542734A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311780404.2
(22)申请日2023.12.22
(71)申请人扬州扬杰电子科技股份有限公司
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