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本公开提供了一种单晶金刚石外延片及其制备方法、金刚石外延层生长用基片及单晶金刚石基板的制备方法，涉及半导体材料技术领域，旨在解决现有的单晶金刚石基板杂质多且表面粗糙度高的问题。单晶金刚石外延片包括：籽晶层和生长于所述籽晶层上的至少一组叠层结构，所述叠层结构包括：沿第一方向层叠设置的掺杂层和外延层，所述掺杂层的材料为包含第一杂质的单晶金刚石，所述第一杂质在所述掺杂层中是替位式杂质，所述外延层的材料包括单晶金刚石；其中，所述第一方向为垂直于所述籽晶层且远离所述籽晶层的方向。上述单晶金刚石外延片用于制
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117535793A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311636178.0
(22)申请日2023.11.30
(71)申请人深圳平湖实验室
地址51811
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