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本申请实施例公开了一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制备方法，薄膜晶体管包括了衬底层、源极、漏极、栅极、有源层和栅极隔离层，其中源极和漏极之间形成有沟槽，有源层覆盖在沟槽的内壁，栅极隔离层覆盖在有源层上，栅极设置在沟槽内，连接于栅极隔离层，基于此通过本申请实施例提供的薄膜晶体管有效缩短沟道并形成沟槽状的栅极，窄沟槽三维沟道器件，从而在不增加器件水平面积(footPrint)前提下提高器件开态电流密度，提高导通电流与存储密度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117542897A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311344944.6
(22)申请日2023.10.17
(71)申请人中国科学院微电子
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