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本发明公开了一种硅基OLED制作改善串扰方法，包括以下步骤：S1.CMOS硅基板准备；S2.制作阳极；S3.制作像素层；S4.PDL层曝光，PDL层通过加强驻波效应直接形成倒角；S5.PDL层后续产品制程；S6.制作OLED器件。该硅基OLED制作改善串扰方法设计合理，减少OLED工艺流程的原本倒角制作步骤，利用驻波效应制作倒角，即利用已有工艺的副效应达成正面的效果，提升了产品制作效率，优化产品加工周期节省产品加工成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117545327A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311488155.X
(22)申请日2023.11.09
(71)申请人安徽熙泰智能科技有限公司
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