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基于声表面波原位注入的分子束外延生长台及其实现方法.pdfVIP

基于声表面波原位注入的分子束外延生长台及其实现方法.pdf

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    本发明公开了一种基于声表面波原位注入的分子束外延生长台及其实现方法。本发明的分子束外延生长台包括声表面波发生器和供电支架；本发明的分子束外延生长台能够直接应用于真空分子外延生长设备中生长半导体晶体，供电支架为表面波发生基底以无线射频形式提供设定频率的交流电信号，在分子外延生长的过程中原位产生声表面波，从而实现声表面波辅助的半导体晶体的分子束外延生长；并且，压电半导体薄膜采用具有良好耐热性的材料，能够在高温正常工作；本发明设计的结构能够很好与当前商用分子外延生长设备兼容，在无需改装生长腔体的情况下

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117535790A

    (43)申请公布日2024.02.09

    (21)申请号202410033428.X

    (22)申请日2024.01.10

    (71)申请人北京大学

    地址100871

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