原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供了一种热场结构、碳化硅生长装置和碳化硅的生长方法，所述热场结构包括侧保温部件、顶部保温部件、底部保温部件和感应加热线圈；所述侧保温部件包括由内至外依次嵌套的内保温层和外保温层，内保温层和外保温层均为两端开口的中空筒状结构，内保温层的中空腔内设置有坩埚；所述内保温层和外保温层之间具有间隙，所述间隙内设置有可移动的侧感应件；所述外保温层的一端开口与顶部保温部件的底面边缘相接，另一端开口与底部保温部件的顶面边缘相接。本发明中的侧感应件可以改变坩埚处的感应磁场，起到减小坩埚径向温度梯度的作用，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117535787A
(43)申请公布日2024.02.09
(21)申请号202311511080.2
(22)申请日2023.11.14
(71)申请人江苏超芯星半导体有限公司
地址
文档评论（0）