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2024-02-10 发布于四川
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沟槽式功率MOS半导体器件.pdf

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本实用新型涉及MOS半导体技术领域，具体涉及沟槽式功率MOS半导体器件，包括MOS半导体主体，所述MOS半导体主体的外侧滑动连接有防护壳，所述防护壳的内部且位于MOS半导体主体的左右两侧设有伸缩机构，所述MOS半导体主体的底部设有三组引脚，所述MOS半导体主体的底部且位于引脚的外侧套设有防护架。所述伸缩机构包括伸缩杆，所述伸缩杆转动连接与防护壳的内部且位于MOS半导体主体的左侧，所述防护壳的顶部且位于伸缩杆相对应的位置处设有旋钮，所述防护壳的内部且位于MOS半导体主体的右侧设有滑动柱，所述MOS

(19)国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号CN220474612U

(45)授权公告日2024.02.09

(21)申请号202321236776.4

(22)申请日2023.05.22

(73)专利权人上海安导电子科技有限公司

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